Результатов найдено: 107
Открыт высокотемпературный сверхпроводящий оксид без меди
31 мар 2025
0
0
- Исследователи из Сингапура разработали новый сверхпроводящий оксид без меди.
- Оксид обеспечивает сверхпроводимость при температуре около 40 Кельвинов (-233 °C) при давлении окружающей среды.
- Новый материал расширяет научное понимание нетрадиционной сверхпроводимости…
Как ускорить хранение и передачу информации, придумали физики МГУ
31 мар 2025
0
0
- Ученые МГУ разработали метод управления симметрией кристалла сульфида кадмия с помощью терагерцового излучения.
- Метод может использоваться для создания быстрой и энергоэффективной памяти на основе магнитных материалов.
- Технология магнитной стрейнтроники основана…
Созданы прозрачные тандемные фотоэлементы с рекордной производительностью
25 мар 2025
0
0
- Международная команда ученых создала полупрозрачный тандемный солнечный элемент с рекордным коэффициентом преобразования энергии - 12,3%.
- Новая технология объединяет 2 типа фотоэлементов - перовскитные и органические.
- Такое сочетание позволяет улавливать различные части…
Российские ученые вырастили кристаллы-невидимки для компьютеров будущего
25 мар 2025
0
0
- Российские ученые вырастили кристаллы-невидимки для компьютеров будущего.
- Кристаллы можно использовать в качестве материала для мемристоров и технологии ReRAM.
- Создают такие кристаллы методами растворной химии, без применения дорогостоящей литографии.
- Кристаллы…
Получены материалы, перспективные для создания элементов памяти будущего
18 мар 2025
0
0
- Ученые Новосибирского госуниверситета получили новые полупроводниковые материалы для создания элементов памяти будущего.
- Новые материалы могут превосходить флеш-память по количеству циклов перезаписи, емкости и быстродействию.
- Флеш-память - устройство для хранения…
Российские ученые разработали материалы для памяти будущего
18 мар 2025
0
0
- Российские ученые разработали новый материал для перспективных элементов памяти.
- Разработка поможет создать альтернативу флеш-памяти с более быстрым и долговечным механизмом перезаписи.
- Флеш-память уже достигла предела своих возможностей.
- Ученые…
Разбуди флешку: как работают новейшие устройства памяти на сегнетоэлектриках
18 мар 2025
0
0
- Ученые МФТИ обнаружили и объяснили причину "пробуждения" сегнетоэлектрических пленок оксида гафния.
- Сегнетоэлектрические пленки оксида гафния используются в новых запоминающих устройствах, заменяющих флешки.
- Открытие поможет повысить надежность работы микросхем сегнетоэлектрической памяти…
Физики нашли эффект «память возбуждения» в квантовых светодиодах
17 мар 2025
0
0
- Физики обнаружили эффект "память возбуждения" в квантовых светодиодах.
- "Память" помогает светодиодам быстрее реагировать на напряжение.
- Квантовые светодиоды (QLED) используют квантовые точки для светоизлучения.
- QLED обладают лучшей энергоэффективностью и цветопередачей по…
Создан крученый свет для электроники будущего
15 мар 2025
0
0
- Исследователи из Великобритании и Нидерландов создали органический полупроводник, заставляющий электроны двигаться по спирали.
- Это может повысить эффективность органических светодиодов и обеспечить работу спинтроники и квантовых вычислений.
- Хиральность играет важную роль…
Китайские ученые создали чип без кремния, который на 40% превзошел по скорости Intel
13 мар 2025
0
0
- Китайские ученые создали чип без кремния, который на 40% превзошел по скорости Intel.
- Решение основано на использовании полевого транзистора Gate-all-around (GAAFET) с применением материалов на основе висмута.
- Новый…
Samsung получила литографический сканер для работы с технологией High-NA EUV
12 мар 2025
0
0
- Samsung получила литографический сканер EXE: 5000 для работы с технологией High-NA EUV.
- Оборудование использует усовершенствованную технологию экстремальной ультрафиолетовой литографии.
- Цена сканера составляет около $500 млн.
- Эксклюзивным поставщиком является нидерландская…
Китайский транзистор на углеродных нанотрубках быстрее и экономичнее кремниевых аналогов
11 мар 2025
0
0
- Китайские специалисты создали транзистор на углеродных нанотрубках без использования кремния.
- Транзистор работает на 40% быстрее и потребляет на 10% меньше электроэнергии, чем кремниевые чипы.
- Отказ от кремния открывает возможности разработки…
Прототип транзистора для перспективной силовой электроники разработали в ЛЭТИ
8 мар 2025
0
0
- Прототип транзистора на основе карбида кремния разработан в ЛЭТИ.
- Карбид кремния (SiC) является перспективным материалом для силовой электроники.
- SiC-транзисторы могут использоваться в инверторах и преобразователях энергии.
- Разработка SiC-транзистора…
Создан инновационный материал для субмикронной электроники
8 мар 2025
0
0
- Ученые ТюмГУ, УрФУ и ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН совместно с немецкими коллегами получили две полиморфные модификации слоистого теллурида.
- Такие структуры имеют большой потенциал применения в субмикронной электронике.
- Соединение…
Китай в два раза превосходит США по числу исследований в области передовых чипов
4 мар 2025
0
0
- Китай опережает США по количеству и качеству научных публикаций в области разработки чипов.
- Китайские ученые участвуют в половине самых цитируемых работ по полупроводниковым технологиям.
- Китайские исследователи лидируют по качеству, соавторы…