• Ученые Новосибирского госуниверситета получили новые полупроводниковые материалы для создания элементов памяти будущего.
• Новые материалы могут превосходить флеш-память по количеству циклов перезаписи, емкости и быстродействию.
• Флеш-память - устройство для хранения информации при выключенном питании и записи/удаления данных.
• Новый тип памяти - мемристор - специальный резистор с эффектом памяти, способный запоминать воздействия и хранить информацию.
• Ученые НГУ первыми обнаружили мемристорный эффект в материалах на основе германо-силикатного стекла.
• Исследователи изучают опто-электрические свойства и процессы в мемристорах.
• Мемристоры могут увеличить количество циклов перезаписи и ускорить работу памяти по сравнению с флеш-памятью.