• Прототип транзистора на основе карбида кремния разработан в ЛЭТИ.
• Карбид кремния (SiC) является перспективным материалом для силовой электроники.
• SiC-транзисторы могут использоваться в инверторах и преобразователях энергии.
• Разработка SiC-транзистора важна для обеспечения технологического суверенитета России.
• Разработка транзистора осуществляется в рамках программы развития «Приоритет 2030» СПбГЭТУ «ЛЭТИ».
• ГК «Элемент» и СПбГЭТУ «ЛЭТИ» подписали дорожную карту по разработке и производству SiC-транзисторов.
• В 2024 году было запущено совместное предприятие «ЛЭТИЭЛ» для разработки компонентов на основе карбида кремния.

«До недавнего времени потребности России в карбидокремниевых транзисторах практически полностью закрывались за счет продукции иностранных производителей. Поэтому наша разработка – важный этап на пути обеспечения технологического суверенитета России в сфере современных ключевых электронных компонентов», – подчеркнул Александр Анатольевич Семенов.