Китайские ученые создали чип без кремния, который на 40% превзошел по скорости Intel

Китайские ученые создали чип без кремния, который на 40% превзошел по скорости Intel.
Решение основано на использовании полевого транзистора Gate-all-around (GAAFET) с применением материалов на основе висмута.
Новый подход кардинально отличается от Fin Field-Effect Transistor (FinFET) технологии.
Структура GAAFET устраняет необходимость в избыточных конструкциях, увеличивая площадь контакта между затвором и каналом.
Ученые использовали 2D-полупроводниковые материалы с равномерной атомной толщиной и высокой подвижностью для оптимизации производительности.
Разработаны собственные материалы на основе висмута - Bi2O2Se и Bi2SeO5 для преодоления структурных проблем и ограниченной эффективности ранее использованных материалов.
В новых материалах меньше дефектов, что обеспечивает плавный поток электронов.
Исследователи работают над масштабированием производства и созданием логических блоков с использованием новых транзисторов.