• Российские ученые разработали новый материал для перспективных элементов памяти.
• Разработка поможет создать альтернативу флеш-памяти с более быстрым и долговечным механизмом перезаписи.
• Флеш-память уже достигла предела своих возможностей.
• Ученые предложили использовать мемристоры для увеличения циклов перезаписи и ускорения работы памяти.
• Основу разработки составили германо-силикатные стёкла - смесь оксидов кремния и германия.
• Открытие мемристорного эффекта в германо-силикатных стёклах имеет практическую и теоретическую ценность.
• В перспективе это ускорит создание новых, более эффективных элементов памяти.

«Мемристоры могут увеличивать количество циклов перезаписи в разы. Кроме того, их скорость работы выше: если у флеш-памяти один цикл длится микросекунды, то у мемристоров — наносекунды или даже пикосекунды», — объяснил младший научный сотрудник лаборатории функциональной диагностики низкоразмерных структур для наноэлектроники НГУ Иван Юшков.