Разбуди флешку: как работают новейшие устройства памяти на сегнетоэлектриках

Ученые МФТИ обнаружили и объяснили причину «пробуждения» сегнетоэлектрических пленок оксида гафния.
Сегнетоэлектрические пленки оксида гафния используются в новых запоминающих устройствах, заменяющих флешки.
Открытие поможет повысить надежность работы микросхем сегнетоэлектрической памяти.
Пробуждение связано с изменением структуры пленок оксида гафния и поворотом полярной оси кристаллической решетки.
Причина изменений в структуре - механическое напряжение, возникающее при обработке пленки при температуре около 500°C.
Механическое напряжение может быть уменьшено путем управления функциональными материалами электродов и условиями их роста.
Нарушение симметрии при переключении поляризации может быть причиной неэквивалентности состояний, соответствующих битам информации 0 и 1.