Результатов найдено: 58
В Южной Корее задумались о создании KSMC — конкурента TSMC с господдержкой
27 дек 2024
0
0
- Правительство Южной Кореи рассматривает создание государственного производителя микросхем KSMC.
- Инвестиции в проект могут составить $13,9 млрд, а экономическая выгода к 2045 году - $208,7 млрд.
- Цель KSMC - снизить зависимость…
Полупроводник из графена, белковый фрактал, Нобелевская премия, Менделеевский съезд и не только
24 дек 2024
0
0
- Уходящий год принес много интересных событий в области химии в России и в мире.
- В МГУ им. М.В. Ломоносова обсудили итоги года с учеными Андреем Владимировичем Шевельковым и Марией…
Выращены «слоеные» трехмерные чипы
21 дек 2024
0
0
- Электронная промышленность достигла предела плотности транзисторов на чипе.
- Производители переходят к вертикальному наращиванию транзисторов и полупроводниковых элементов.
- Массачусетский технологический институт разработал многослойную конструкцию чипа без кремниевых подложек.
- Технология позволяет выращивать…
Xiaomi разработала собственный 3-нм процессор для смартфонов
27 ноя 2024
0
0
- Xiaomi завершила разработку первого процессора для смартфонов на 3-нм техпроцессе.
- Новый чип готов к производству и может появиться в устройствах в начале 2025 года.
- Xiaomi станет первой китайской компанией…
TSMC с опережением графика начала оснащать фабрику 2-нм чипов
27 ноя 2024
0
0
- TSMC начала монтаж оборудования на новой 2-нм фабрике в Гаосюне, Тайвань.
- Фабрика будет выпускать чипы для Apple и AMD.
- Решение о перепрофилировании фабрики было принято в августе 2023 года…
США усилили санкции, чтобы Huawei на несколько лет застряла на 7-нм техпроцессе
21 ноя 2024
0
0
- Huawei столкнулась с ограничениями в разработке чипов из-за санкций США.
- Новые процессоры Ascend и чипы Mate будут основаны на устаревшей 7-нм архитектуре.
- Запрет на поставки литографического оборудования ASML…
Уникальный нагреватель для компонентов наноэлектроники разработали в МФТИ
20 ноя 2024
0
0
- МФТИ разработал новый нагреватель для кремния до 600 °C.
- Прибор используется для создания полупроводниковых структур в наноэлектронных устройствах.
- Новый нагреватель необходим для выполнения дипломной работы в Центре коллективного пользования МФТИ…
Разработаны нанотранзисторы для электроники не на кремниевых чипах
6 ноя 2024
0
0
- Кремниевые транзисторы являются важным компонентом электронных устройств.
- Тирания Больцмана ограничивает эффективность компьютеров на основе кремния.
- Физики из США разработали трехмерный транзистор из сверхтонких полупроводников.
- Кремниевые транзисторы используются как переключатели в…
Первая установка Canon для нанопечатной литографии передана на испытания
2 окт 2024
0
0
- Canon отправила первый образец оборудования для нанопечатной литографии американскому исследовательскому консорциуму.
- Это важная веха в коммерциализации технологии, позволяющей производить чипы без дорогостоящих и энергоемких процессов литографии.
- Машина Canon потребляет в…
Что из себя представляет российский литограф
29 июл 2024
0
0
- В России создан и тестируется собственный литограф на 350 нм.
Однако, если разобраться, о чём речь, то оказывается, что «новый российский литограф» не очень новый. И не совсем российский.
- Литограф…
Опытное производство 2-нм чипов для iPhone 17 начнется с опережением графика
14 июл 2024
0
0
- Тайваньский производитель полупроводников TSMC запускает опытное производство микрочипов по 2-нм техпроцессу.
- Новые чипы предназначены для нового поколения айфонов и других устройств Apple, выпускаемых в 2025 году.
- Испытания новых производственных…
В новом поколении 2D-полупроводников вместо кремния может быть материал толщиной в 3 атома
12 июл 2024
0
0
- В Принстонской лаборатории физики плазмы разрабатывают новое поколение микрочипов.
- Ученые исследуют дихалькогениды переходных металлов в качестве замены кремния в микропроцессорах.
- Первые транзисторы на ДПМ ожидаются в 2030 году.
- Закон Мура…
В Южной Корее вырастили транзисторы размером менее одного нанометра
4 июл 2024
0
0
- Новый метод эпитаксиального выращивания одномерных металлических материалов менее 1 нм предложен специалистами из Южной Кореи.
- Метод применен для разработки структуры для двухмерных полевых транзисторов с электродом затвора шириной 0,4…