Разработаны нанотранзисторы для электроники не на кремниевых чипах

Кремниевые транзисторы являются важным компонентом электронных устройств.
Тирания Больцмана ограничивает эффективность компьютеров на основе кремния.
Физики из США разработали трехмерный транзистор из сверхтонких полупроводников.
Кремниевые транзисторы используются как переключатели в электронных устройствах.
Тирания Больцмана требует определенного минимума напряжения для переключения транзистора.
Исследователи использовали антимонид галлия и арсенид индия для преодоления лимита напряжения.
Туннельные транзисторы работают с малыми токами, снижая производительность электроники.
MIT применила нанотехнологию для создания вертикальных гетероструктур с диаметром 6 нм.
Крутизна кривой переключения оказалась ниже фундаментального лимита кремниевых транзисторов.
Опытный образец был в 20 раз эффективнее традиционных туннельных транзисторов.