• Новый метод эпитаксиального выращивания одномерных металлических материалов менее 1 нм предложен специалистами из Южной Кореи.
• Метод применен для разработки структуры для двухмерных полевых транзисторов с электродом затвора шириной 0,4 нм и транзисторным каналом шириной 3,9 нм.
• Разработка может стать ключевой технологией в производстве высокопроизводительных электронных устройств будущего.
• Новая технология альтернативна литографии и превосходит ее.
• Реализация сверхминиатюрных транзисторных устройств и интегральных схем остается технически сложной задачей.
• Ученые из Института фундаментальных наук в Тэджоне использовали особенность дисульфида молибдена для преобразования его в одномерный металлический электрод.
• Созданы двумерные полевые транзисторы и экспериментальные чипы с использованием одномерных металлов.
• Одномерный транзистор должен повысить эффективность интегральной схемы и свести к минимуму паразитные емкости.
• Технология может заменить литографию через несколько лет.