В новом поколении 2D-полупроводников вместо кремния может быть материал толщиной в 3 атома

• В Принстонской лаборатории физики плазмы разрабатывают новое поколение микрочипов.
• Ученые исследуют дихалькогениды переходных металлов в качестве замены кремния в микропроцессорах.
• Первые транзисторы на ДПМ ожидаются в 2030 году.
• Закон Мура, согласно которому количество транзисторов удваивается каждый год, ослабевает.
• Команда ищет альтернативы трехмерной архитектуре микрочипов.
• Дихалькогениды переходных металлов (ДПМ) рассматриваются как потенциальная замена.
• ДПМ - монослойные полупроводники толщиной всего в три атома.
• Мельчайшие изменения в ДПМ могут влиять на производительность материала.
• Некоторые компании, например, Intel, работают в этом направлении.