• Сотрудники МФТИ и их коллеги создали материалы на основе сложного оксида индия, галлия и цинка для 3D-печати транзисторов.
• Использование глицерина и нагрев до 500 градусов Цельсия обеспечивают формирование частиц материала размером не более 30 нанометров.
• Результаты работы открывают возможности повышения доступности технологий 3D-печати транзисторов благодаря снижению энергозатрат.
• Исследование опубликовано в журнале Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics.
• Современные транзисторы имеют нанометровые размеры и изготавливаются с помощью струйной трехмерной печати.
• Ученые исследовали процесс получения сложного оксида индия, галлия и цинка золь-гель методом.
• Реализация золь-гель метода включает синтез золя, превращение его в гель, сушку и термообработку.
• Ученые определили условия синтеза наночастиц однородных по составу и представленных нерастворимыми комплексами указанных металлов.
• Результаты исследования позволят целенаправленно выбирать органические реагенты для синтеза золь-гель методом сложного оксида индия, галлия и цинка и повысить доступность технологий печати транзисторов.

«Работая с глицерином, мы при 500 градусов синтезировали наночастицы сложного оксида индия, галлия и цинка, определили тип и параметры кристаллической решетки этого оксида», — добавил Глеб Зирник, младший научный сотрудник лаборатории функциональных оксидных материалов для микроэлектроники МФТИ.

Изображение: Изображения поверхности образца, полученные методом сканирующей (a) и просвечивающей (b) электронной микроскопии. Образец синтезирован с использованием глицерина, подвергался сушке при 500 градусов в течение шести часов / © Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics