Результатов найдено: 7
Выращены «слоеные» трехмерные чипы
21 дек 2024
0
0
- Электронная промышленность достигла предела плотности транзисторов на чипе.
- Производители переходят к вертикальному наращиванию транзисторов и полупроводниковых элементов.
- Массачусетский технологический институт разработал многослойную конструкцию чипа без кремниевых подложек.
- Технология позволяет выращивать…
Разработаны нанотранзисторы для электроники не на кремниевых чипах
6 ноя 2024
0
0
- Кремниевые транзисторы являются важным компонентом электронных устройств.
- Тирания Больцмана ограничивает эффективность компьютеров на основе кремния.
- Физики из США разработали трехмерный транзистор из сверхтонких полупроводников.
- Кремниевые транзисторы используются как переключатели в…
Впервые создан одноатомный металл большой площади
5 апр 2025
0
0
- Китайские исследователи создали одноатомный металлический слой толщиной в один атом.
- Это первый в мире пример двумерного металлического материала большой площади.
- Инновационный материал может произвести революцию в маломощных транзисторах, дисплеях и…
Китайский транзистор на углеродных нанотрубках быстрее и экономичнее кремниевых аналогов
11 мар 2025
0
0
- Китайские специалисты создали транзистор на углеродных нанотрубках без использования кремния.
- Транзистор работает на 40% быстрее и потребляет на 10% меньше электроэнергии, чем кремниевые чипы.
- Отказ от кремния открывает возможности разработки…
Найден способ повысить энергоэффективность технологий 3D-печати транзисторов
29 янв 2025
0
0
- Сотрудники МФТИ и их коллеги создали материалы на основе сложного оксида индия, галлия и цинка для 3D-печати транзисторов.
- Использование глицерина и нагрев до 500 градусов Цельсия обеспечивают формирование…
Китайские ученые создали чип без кремния, который на 40% превзошел по скорости Intel
13 мар 2025
0
0
- Китайские ученые создали чип без кремния, который на 40% превзошел по скорости Intel.
- Решение основано на использовании полевого транзистора Gate-all-around (GAAFET) с применением материалов на основе висмута.
- Новый…
Создана новая технология производства транзисторов для гибкой электроники
13 фев 2025
0
0
- Ученые Томского политехнического университета разработали новую технологию производства гибких транзисторов с электролитическим затвором.
- Технология может использоваться для создания компактных устройств, которые можно сгибать и сворачивать, а также биосенсоров для исследования…