- Ученые СПбГУ открыли новый механизм формирования нитевидных нанокристаллов из InGaN с высоким содержанием индия.
- Сформированные нанокструктуры демонстрируют интенсивное излучение при комнатной температуре.
- Нанокристаллы могут быть использованы для создания оптоэлектронных устройств, таких как светодиоды, солнечные панели и лазеры.
- Результаты исследования опубликованы в журнале Nanoscale Horizons.
- InGaN также перспективен для газовых сенсоров, солнечных батарей и водородных ячеек, но его массовое применение ограничено из-за трудностей синтеза стабильного слоя.
- Новый механизм формирования нанокристаллов на основе InGaN непосредственно на поверхности кремния позволяет преодолеть проблемы с синтезом стабильных слоев и увеличить содержание индия в нанокристаллах.
- Увеличение содержания индия в InGaN изменяет длину волны излучения и расширяет потенциал для применения материала в создании новых эффективных светодиодов, лазеров, солнечных батарей и многого другого.
Механизм формирования нанокристалла / © Nanoscale Horizons