• Китайские ученые раскрыли причину дефектов полупроводников из нитрида галлия.
• Нитрид галлия - важный материал для передовой электроники, включая системы вооружения.
• Дефекты структуры нитрида галлия снижают его производительность.
• Китай контролирует 98% мировых запасов галлия и запретил экспорт материала в США.
• Разработка технологии производства GaN является приоритетом для КНР.
• Традиционные методы предотвращения дефектов не эффективны для GaN.
• Управление дефектами возможно через «настройку уровня Ферми» (регулирование энергетических уровней электронов).
• Результаты исследования могут повысить эффективность и снизить стоимость полупроводников на основе GaN.
• Массовое производство высококачественных чипов из GaN укрепит лидерство Китая в полупроводниковых технологиях.

Если результаты исследования окажутся точными, это станет значительным шагом на пути к повышению эффективности и снижению стоимости полупроводников на основе GaN. Массовое производство высококачественных чипов из нитрида галлия позволит Китаю укрепить свое лидерство в полупроводниковых технологиях, особенно в военной технике и мобильной связи 5G.