• ASML прекратил продажу передовых моделей фотолитографического оборудования Китаю из-за давления США.
• Китайские исследователи создали собственный источник EUV-излучения на лазерной плазме для производства микрочипов.
• Решение оказалось компактным и не уступает международным аналогам.
• Китай находится в шаге от создания собственных литографических машин с источником света LPP-EUV.
• Разработка проводилась группой ученых из Шанхайского института оптики и точной механики под руководством Линь Наня.
• Группа Линя разработала источник EUV-излучения на лазерной плазме (LPP), что может стать прорывом для полупроводниковой промышленности Китая.
• Твердотельные лазеры могут заменить газовые лазеры СО2 в качестве новой движущей силы фотолитографии с источником света LPP-EUV.

«Твердотельные импульсные лазеры, которые быстро развивались в течение последнего десятилетия, теперь достигают выходной мощности на уровне киловатта и, как ожидается, в будущем она увеличится в десять раз. Они имеют компактный размер, КПЛ около 20% и могут стать многообещающей заменой лазеров СО2 в качестве новой движущей силы фотолитографии с источником света LPP-EUV», — говорится в статье.