- Ученые МФТИ обнаружили и объяснили причину "пробуждения" сегнетоэлектрических пленок оксида гафния. - Сегнетоэлектрические пленки оксида гафния используются в новых запоминающих устройствах, заменяющих флешки. - Открытие поможет повысить надежность работы микросхем сегнетоэлектрической памяти…

- Российские ученые разработали новый материал для перспективных элементов памяти. - Разработка поможет создать альтернативу флеш-памяти с более быстрым и долговечным механизмом перезаписи. - Флеш-память уже достигла предела своих возможностей. - Ученые…