• Китайские исследователи создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире.
• Разработка получила название PoX и основана на графеновом канале с двумерной структурой Дирака.
• PoX способна записывать данные со скоростью 1 бит за 400 пикосекунд.
• Алгоритмы искусственного интеллекта использовались для оптимизации условий тестирования.
• PoX превосходит даже быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM.
• Технология PoX сочетает энергоэффективность флеш-памяти и недостижимую ранее скорость.
• PoX может использоваться в высокоскоростных системах хранения и ИИ-устройствах.

«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», - передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.