• Ученые НИУ «МЭИ» создали новый источник излучения в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне длин волн.
• Разработка позволит усовершенствовать технологию литографии микросхем, уменьшить их размеры и увеличить быстродействие.
• Эксперименты с добавлением лития в гелиевый плазменный разряд показали возможность создания стационарного источника.
• Новый источник имеет повышенный КПД по сравнению с существующими источниками ЭУФ-излучения.
• Новые решения направлены на создание отечественного производства элементов интегральных схем для микроэлектроники.

«Новые решения, разработанные нашими учеными, направлены на создание отечественного производства элементов интегральных схем для микроэлектроники и связаны с задачами технологического суверенитета России», - отметил ректор НИУ «МЭИ» Николай Рогалев, его слова приводятся в сообщении.