В Китае наладили производство пластин из оксида галлия диаметром 6 и 8 дюймов

Hangzhou Garen Semiconductor создала первую в мире производственную линию для выпуска гомоэпитаксиальных пластин из оксида галлия диаметром 6 и 8 дюймов.
Это важный шаг на пути к коммерческому использованию полупроводников нового поколения.
Оксид галлия имеет сверхширокую запрещенную зону и превосходит кремний, карбид кремния и нитрид галлия по характеристикам.
Устройства на его основе могут выдерживать более высокие напряжения и температуры.
Технология Garen Semiconductor позволяет получать сверхтолстые кристаллы оксида галлия и увеличивать выход сверхтонких подложек в три-четыре раза.
Расход иридия снижается, что позволяет сократить себестоимость каждой пластины более чем на 80%.
Компания заключила долгосрочные соглашения с китайскими производителями чипов и привлекает интерес зарубежных предприятий и исследовательских центров.