- Российские исследователи разработали технологию для усовершенствования полупроводниковых платформ для электроники нового поколения.
- Новый подход объединяет магнитный материал (оксид европия, EuO) и полупроводниковую платформу на базе арсенида галлия (GaAs).
- Составная система может стать основой новых энергоэффективных устройств, использующих технологии спинтроники.
- Ученые устранили проблему совместимости элементов, устранив неуправляемые химические процессы на границе двух материалов.
- Новый подход универсален и позволит получить гетероструктуры с уникальными свойствами для создания энергоэффективных устройств.
- Магнитные квазичастицы в оксиде европия позволяют управлять свойствами материала с помощью малых магнитных полей и света.
- Арсенид галлия является естественным кандидатом для интеграции с EuO, но ранее не удавалось объединить их напрямую без буферных слоев других материалов.
- Российские ученые смогли реализовать этот подход благодаря модификации поверхности арсенида галлия оксидом европия и новой технологии синтеза структур.
«Новый подход позволил подавить нежелательные реакции за счет контроля над структурой интерфейса на начальном этапе синтеза. Предложенная стратегия универсальна и позволит в будущем получить большое разнообразие гетероструктур с уникальными свойствами, которые будут востребованы для создания энергоэффективных устройств», - уточнили в научном центре.