• Американские ученые создали полупроводник с рекордной шириной запрещенной зоны - более 7 эВ.
• Полупроводник основан на оксиде алюминия-галлия, легированном кремнием и выращенном на сапфировой подложке.
• Это достижение может повысить эффективность электромобилей, энергосетей и центров обработки данных.
• Увеличение ширины запрещенной зоны без ухудшения проводимости материала - сложная задача.
• Исследователи разработали тонкие пленки из оксида алюминия-галлия с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии субоксидов.
• Новый материал проводит электричество в 100 миллионов раз лучше, чем другие материалы с шириной запрещенной зоны более 6 эВ.
• На основе нового полупроводника изготовлены диод и полевой транзистор AlphaFET.
• Транзистор демонстрирует изменение силы электрического тока более чем на 4 порядка.
• Материал проще изготавливать, чем другие материалы со сверхширокой запрещенной зоной, благодаря использованию сапфировой подложки.
• Новые полупроводники могут найти применение в электромобилях, авиации и центрах обработки данных.