Создан материал для 2D-чипов, которые сэкономят заряд аккумулятора гаджетов

Китайские инженеры разработали технологию для создания двумерных компьютерных чипов с низким энергопотреблением.
Полупроводниковый материал обеспечивает низкую утечку затвора, низкую плотность состояний, высокую диэлектрическую прочность и соответствует стандартам для микроэлектроники.
Исследователи разработали самосовмещенный полевой транзистор на основе сульфида молибдена с использованием слоя монокристаллического оксида алюминия.
Используя уникальный метод окисления, инженеры сформировали стабильный, невероятно тонкий слой оксида алюминия - толщиной всего 1,25 нм - на поверхности монокристаллического алюминия при температуре окружающей среды.
Каждый транзистор имеет алюминиевый затвор шириной 100 мкм и длиной 250 нм.
Крошечный воздушный зазор между золотыми и алюминиевыми затворами обеспечивает полную изоляцию.
Длина канала составляет 300 нм.
В результате они получили полевой транзистор с превосходными контактными и диэлектрическими интерфейсами.