• Российский технологический университет МИРЭА разработал алмазный транзистор.
• Транзистор предназначен для использования в ядерной энергетике и космической технике.
• Устройство основано на кристаллографически совершенном алмазном слое толщиной менее 1 микрона.
• Технология термохимической обработки устраняет дефекты поверхности, улучшая электрофизические характеристики.
• Алмазный транзистор может продемонстрировать на 10-15% лучшую производительность по сравнению с аналогами.
• Ключевые преимущества транзистора: высокая термостойкость, радиационная устойчивость и энергоэффективность.
• Алмазные транзисторы найдут применение в системах связи, радиолокационных станциях, медицинском оборудовании и промышленной электронике.