• Samsung планирует установить свою первую литографическую систему High-NA EUV к концу 2024-го - началу 2025 года.
• Сканер ASML будет использоваться для исследований и разработки новых технологических процессов для создания микросхем и DRAM.
• Установка системы завершится в кампусе компании в Хвасоне, и она начнет работу в середине 2025 года.
• Samsung опередит конкурентов, таких как TSMC и SK hynix, в использовании High-NA EUV.
• Применение High-NA EUV в массовом производстве пока неизвестно, но вероятно во второй половине текущего десятилетия.
• Samsung активно развивает экосистему вокруг технологии High-NA EUV, сотрудничая с Lasertec, JSR и Tokyo Electron.
• High-NA EUV-системы ASML способны достигать разрешения в 8 нанометров, улучшая показатели по сравнению с Low-NA EUV-системами.
• Переход на High-NA EUV может упростить производство и снизить затраты, но также требует значительных изменений в проектировании чипов и планировках фабрик.