Samsung показала сверхэкономичную флеш-память нового поколения

Samsung объединила сегнетоэлектрические транзисторы и оксидные полупроводники для создания сверхэкономичной флеш-памяти нового поколения.
Новая память работает при напряжениях 4-6 В, что значительно снижает энергопотребление.
Транзистор FeFET с диэлектриком из HfZrO и каналом из IGZO является основой разработки.
Новая память демонстрирует высокую надежность и долговечность, сохраняя данные более 10 лет.
Энергозатраты на запись и стирание снижаются на 96% по сравнению с 3D NAND.
Технология совместима с текущими CMOS-процессами, что позволяет масштабировать ее без потери характеристик.
Samsung планирует использовать новую память в смартфонах, носимых устройствах, IoT-системах и дата-центрах.
Разработка создана совместно с австралийскими учеными и описана в журнале Nature.