• Разработан инновационный транзистор с круговым затвором из легированного галлием оксида индия.
• Транзистор обеспечивает замечательную подвижность и стабильность электронов благодаря точному проектированию атомной структуры материала.
• Прорыв может открыть путь к более быстрой и надежной электронике для вычислительных технологий.
• Транзисторы являются важным изобретением человечества в ХХ веке и неотъемлемым компонентом современной электроники.
• Исследовательская группа использовала метод атомно-слоевого осаждения для покрытия области канала транзистора тонкой пленкой InGaOx.
• Новая конструкция транзисторов учитывает важность материалов и структуры и является шагом на пути к разработке надежных электронных компонентов высокой плотности.

«Наш MOSFET с круговым затвором, содержащий слой оксида индия, легированного галлием, достигает высокой подвижности 44,5 см2/В*с, — объяснил Чэн Аньлань, ведущий автор статьи. — Что особенно важно, устройство демонстрирует многообещающую надежность, стабильно работая при приложенном напряжении в течение почти трех часов. Фактически, наш MOSFET превзошел аналогичные устройства, о которых сообщалось ранее».