• Прорыв в полупроводниках приближает 6G.
• Международная команда ученых и инженеров разработала инновационный способ ускорить передачу данных.
• Переход от 5G к 6G потребует радикального обновления полупроводниковой технологии.
• Открытое свойство - «эффект фиксатора» - позволило разблокировать путь к повышению производительности радиочастотных устройств.
• Устройства смогут использовать параллельные каналы и особые транзисторы для управления потоком тока.
• Технология «полевых транзисторов с эффектом сверхрешетки» (SLCFET) продемонстрировала наивысшую производительность в диапазоне частот W-диапазона.
• Эффект фиксатора возникает из-за тонкого слоя диэлектрического покрытия вокруг каждого ребра.
• Эффект фиксатора может быть использован для бесчисленных практических применений, преобразующих жизнь людей.

«Вместе с коллегами мы опробовали технологию „полевых транзисторов с эффектом сверхрешетки“ (SLCFET), в которых током помогают управлять свыше 1000 ребер шириной менее 100 нм. Хотя SLCFET продемонстрировал наивысшую производительность в диапазоне частот W-диапазона, что соответствует 75-110 ГГц, физика, лежащая в основе этого процесса, прежде была неизвестна. Мы поняли, что наблюдали эффект фиксатора в нитриде галлия, который и обеспечивает высокую производительность на радиочастотах».

«Мы обнаружили, что ключевой аспект, определяющий эту надежность, — тонкий слой диэлектрического покрытия вокруг каждого из ребер, — сказал Мартин Кубалл из Университета Бристоля, один из руководителей проекта. — Но главный вывод был очевиден — эффект фиксатора можно использовать для бесчисленных практических применений, которые могут в будущем значительно преобразовать жизнь людей».