• Исследователи МГУ и Курчатовского института повысили эффективность работы мемристоров, которые могут стать основой нейроморфных компьютеров.
• Мемристоры обладают «памятью» и способностью менять записанные данные, что сближает их по свойствам с нервными окончаниями.
• Ученые предложили метод управляемого дефектообразования с помощью радиационного воздействия на структуру мемристора, что привело к улучшению характеристик устройств.
• Облучение структур мемристоров сопровождалось образованием дефектов в слое оксида титана, способствующих формированию проводящих каналов.
• Полученные результаты важны для развития нейроморфных систем, которые имитируют работу головного мозга.
• Мемристоры с большим количеством стабильных состояний обладают высокой «пластичностью» и перспективны для реализации многослойных нейросетей на аппаратном уровне.