Новые трехмерные чипы сделают электронику быстрее

Полупроводник нитрид галлия может стать ключевым материалом для следующего поколения электроники.
Высокая стоимость и сложность обработки ограничивают использование нитрида галлия.
Инженеры из США разработали новый технологический процесс интеграции GaN-транзисторов в кремниевые КМОП-чипы.
Нитрид галлия идеально подходит для систем освещения, радиолокации и силовой электроники.
Для максимальной производительности GaN-устройства следует подключать к кремниевым микросхемам КПОМ.
Новые чипы изготавливаются в многоэтапном процессе с использованием лазера для обрезки микроскопических транзисторов.
Инженеры разработали усилители мощности на основе GaN-транзисторов, обеспечивающие более высокую пропускную способность и усиление.
Площадь каждого чипа составила менее 0,5 мм², что является рекордным для кремниевых транзисторов.