• Тайваньские физики экспериментально доказали масштабирование металлических контактов в транзисторах до 2-3 нанометров без потери проводимости.
• Развитие искусственного интеллекта требует увеличения вычислительной мощности и плотности элементов на кремниевых кристаллах.
• Традиционные полупроводниковые компоненты исчерпали свой потенциал миниатюризации.
• Двумерные материалы толщиной в один атом рассматриваются как альтернатива для управления потоком электронов в сверхтонких каналах.
• Главным препятствием для внедрения двумерных транзисторов была неопределенность вокруг минимальных размеров металлических контактов.
• Исследователи из Национального университета Тайваня измерили длину переноса с помощью сканирующей туннельной микроскопии.
• Реальная длина переноса составила 2-3 нанометра, что открывает путь к созданию сверхплотных чипов.