• Алмазные пластины для силовой электроники будущего создаются с участием ЛЭТИ.
• Алмаз является перспективным материалом для микроэлектроники благодаря возможности внедрения высокой концентрации легирующих элементов.
• Алмазные кристаллы с примесью бора рассматриваются как основа для устройств опто- и микроэлектроники нового поколения.
• Ученые выращивают объемные кристаллы алмаза методом HPHT (High Pressure High Temperature).
• Разработка метода производства электронных компонентов на основе алмаза проводится российской компанией «New Diamond Technology» совместно с СПбГЭТУ «ЛЭТИ».
• Ранее ученые ЛЭТИ разработали методику высокоточного определения концентрации бора в слоях структур на основе алмаза.
• Результаты работы были представлены на международной научной конференции «11th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2024)».

«Наш научный коллектив занимается характеризацией чистых алмазных подложек, легированных бором. Они являются основой для прототипов относительно простых, но весьма эффективных электронных устройств – диодов Шоттки, которые будут характеризоваться высокой надежностью, большим напряжением пробоя, рекордно высокой теплопроводностью и увеличенным сроком службы», – рассказал профессор кафедры микро- и наноэлектроники (МНЭ) СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Василий Иванович Зубков. «На данный момент получен образец, на основе которого можно изготавливать прототипы электронных устройств. Однако для внедрения разработок в массовое производство необходимо достичь размеров алмазной монокристаллической подложки электронного качества от 2 дюймов и выше с плотностью дислокаций менее 103 см-2. Именно на это будут направлены наши дальнейшие исследования», – пояснил профессор кафедры МНЭ Василий Иванович Зубков.