В СПбГУ объяснили механизм формирования материалов для нового поколения оптоэлектронных устройств

Физики СПбГУ совместно с коллегами из других организаций изучили механизм формирования трехмерных структур на InGaN-сплаве.
Исследование направлено на разработку нового поколения оптоэлектронных устройств.
InGaN-сплав перспективен для создания газовых сенсоров, солнечных батарей, ячеек для синтеза водорода и других применений.
Проблема синтеза InGaN-слоев заключается в разрыве растворимости и различии постоянных кристаллических решеток с кремнием.
Синтез материала прямо на поверхности кремния может решить эту проблему и расширить потенциал применения InGaN.
Для полного использования InGaN-наноструктур необходимо понимание механизмов их формирования.
Исследование проводилось с использованием молекулярно-пучковой эпитаксии и позволило определить параметры для теоретического описания роста InGaN-наноструктур.