В MIT создали магнитный транзистор с памятью, который в 10 раз мощнее аналогов

MIT создали магнитный транзистор на основе двумерного материала, который усиливает сигнал и хранит данные.
Транзистор нового поколения может изменить подход к созданию микросхем и открыть путь к компактным схемам с низким энергопотреблением.
Ключевой элемент транзистора - двумерный магнитный полупроводник бромид сульфида хрома, который обладает стабильными магнитными свойствами и устойчив к воздействию воздуха.
Транзистор переключается между двумя магнитными состояниями, изменяя электронные свойства под действием внешнего поля.
Эксперименты показали, что транзистор усиливает или переключает ток в 10 раз, что в 10 раз быстрее, чем предыдущие разработки.
Магнитные состояния можно контролировать напрямую электрическим током, что упрощает масштабирование технологии.
Встроенный магнитный полупроводник позволяет устройству сохранять состояние без отдельного запоминающего блока, что открывает путь к вычислениям в памяти.