В МФТИ разработана технология для создания долговечной памяти электронных устройств

МФТИ разработал математический метод для расчета долговечности памяти электронных устройств.
Новый подход оценивает изменения напряжений перезаписи информации в ячейках памяти.
Исследование сосредоточено на энергонезависимой сегнетоэлектрической памяти из оксида циркония и гафния.
Сегнетоэлектрическая память имеет преимущества перед флэш-памятью: меньше энергии, быстрее, больше ресурс.
Проблема потери данных из-за изменения коэрцитивного напряжения ограничивала коммерческое применение памяти.
Модель учитывает множество факторов, влияющих на долговечность памяти.
Технология позволит создавать долговечные электронные устройства и развивать носимую электронику, медицинские имплантаты и промышленные системы.
Производители смогут оптимизировать конструкцию устройств для максимальной долговечности.