В Китае создали компактный EUV-источник для производства чипов

Китайские исследователи разработали компактный EUV-источник для мелкосерийного производства чипов до 14 нм.
Установка подходит для проверки микросхем, создания квантовых устройств и обнаружения дефектов фотошаблонов.
Технология не заменяет EUV-системы ASML, но открывает новые возможности для исследований и инспекции полупроводников.
ASML использует лазерную плазму и огромные зеркала-коллекторы, которые Китай пока не может производить.
Новая китайская разработка генерирует EUV-излучение через генерацию высоких гармоник, не требуя капель олова и громоздких зеркал.
Система компактнее, проще и дешевле, с возможностью настройки длины волны от 1 до 200 нм и минимальным энергопотреблением.
Высокая яркость на ограниченной площади делает систему пригодной для инспекции фотошаблонов и анализа транзисторных структур.
Развитие технологии может помочь Китаю повысить качество производства чипов 14 и 28 нм и укрепить независимость страны в сфере полупроводников.