• Ученые ИФП СО РАН улучшили свойства диоксида гафния для использования в мобильной связи нового поколения.
• Высокие диэлектрические свойства материала позволяют создавать энергоэффективные транзисторы и энергонезависимую память.
• Тонкий слой диоксида гафния, окруженный кремнием, позволяет создавать двухзатворные транзисторы с регулируемым порогом срабатывания.
• Высокая рабочая частота переключений таких транзисторов делает их перспективными для мобильной связи нового поколения.
• Свойства диоксида гафния позволяют использовать его для создания энергонезависимых ячеек памяти, которые могут быть более быстродействующими и износостойкими, чем флэш-память.
• Ученые получили улучшенные пленки диоксида гафния с помощью чередования слоев диоксида гафния и оксида алюминия в соотношении 15 к 1.
• Пленки выращивали методом атомно-слоевого осаждения и переносили на кремниевую подложку с тонким слоем кремния.
• Такой подход сохраняет нужную фазу соединения при температуре до 900 градусов Цельсия, но при нагревании выше 800 градусов полезные свойства материала падают.
• Ученые предложили ограничить температуру нагревания 750 градусами и добавить барьерный слой для предотвращения потери кислорода из диоксида гафния.