Ученые Института физики полупроводников усовершенствовали пленки хай-кей диэлектрика на основе диоксида гафния

Ученые из ИФП СО РАН усовершенствовали пленки хай-кей диэлектрика на основе диоксида гафния.
Исследование проводилось на пленках внутри кремния.
Диэлектрик с высокой диэлектрической проницаемостью (high-k) позволяет увеличить толщину подзатворного диэлектрика и снизить утечки.
Исследуемый диэлектрик обладает сегнетоэлектрическими свойствами и может сохранять поляризацию после снятия внешнего электрического поля.
Диоксид гафния (HfO2) является одним из исследуемых high-k диэлектриков.
Диоксид кремния (SiO2) обычно используется в затворах транзисторов, но его можно заменить на high-k диэлектрик.
Владимир Жилицкий работает над исследованием под руководством Владимира Попова.
Цель исследования - создание полупроводниковых устройств с более низким напряжением питания и электропотреблением.