• TSMC и Samsung Electronics конкурируют в производстве 2-нм микросхем.
• Выход годных изделий у TSMC составляет 80%, у Samsung - 60%.
• 2-нм техпроцесс использует архитектуру транзисторов Gate-All-Around (GAA).
• GAA снижает утечки тока, увеличивает скорость и уменьшает энергопотребление.
• Улучшение энергоэффективности важно для серверов ИИ и мобильных устройств.
• Samsung использует опыт GAA на 3-нм техпроцессах для разработки SF2P.
• 2-нм техпроцесс позволяет интегрировать высокоскоростную память HBM4.
• Сфера 2-нм техпроцессов становится стратегически важной из-за конкуренции и развития ИИ.
• TSMC и Samsung борются за крупнейших технологических клиентов, таких как Apple, AMD и Google.
• Ценообразование играет роль в конкуренции между TSMC и Samsung.
• К середине 2026 года ожидаются первые коммерческие 2-нм ускорители ИИ для ИИ-моделей.
• 2-нм техпроцесс является подготовкой к будущей 1,4-нм эре и развитию литографии EUV.
• Производители сталкиваются с квантовыми эффектами при производстве 2-нм чипов.
• Следующий шаг в развитии 2-нм технологии может быть связан с технологией «системы на пластине» (System-on-Wafer).

Кроме того, 2-нм техпроцесс открывает возможности для интеграции высокоскоростной памяти HBM4 с пропускной способностью более 15 ТБ/с, что позволит размещать большие модели ИИ в меньших кластерах GPU и снижать задержки при обучении. Это делает возможным переход от генеративного ИИ к автономным агентам, способным работать в реальном времени с минимальными энергозатратами.