Совершен прорыв в области сегнетоэлектрических материалов

Исследователи из МФТИ и Пекинского технологического института разработали новый метод создания ультратонких пленок сегнетоэлектрических материалов.
Новый метод позволяет создавать пленки с исключительными свойствами и открывает путь к разработке миниатюрных электронных устройств нового поколения.
Сегнетоэлектрические материалы обладают уникальным свойством - спонтанной поляризацией, которая может быть изменена при приложении внешнего электрического поля.
Одной из главных проблем использования сегнетоэлектриков является потеря их свойств при миниатюризации.
Научная группа под руководством Василия Столярова использовала метод химического осаждения из газовой фазы для создания пленок CuCrSe2.
Получающиеся кристаллы имеют форму треугольника, что приводит к минимизации поверхностной энергии и полной энергии структуры.
Пленки CuCrSe2 сохраняют свою спонтанную поляризацию даже при высоких температурах, что открывает возможности их применения в различных областях.