• SMIC достигла плотности 7-нм TSMC на своем техпроцессе N+3.
• Плотность транзисторов достигла 113,4 млн/мм², что выше, чем у TSMC N6.
• Минимальный шаг металлизации составляет 32,5 нм, что меньше, чем у Intel 18A.
• SMIC использует технологию SAQP для литографии, что повышает сложность производства.
• Huawei компенсирует ограничения производства за счет дизайна микросхемы, увеличивая количество вычислительных блоков и кэш-памяти.
• Kirin 9030 Pro пока не достигает производительности флагманских решений Apple и Qualcomm.
• Huawei ищет альтернативные способы повышения производительности, включая трехмерное масштабирование логики.
• К 2031 году Huawei планирует достичь тактовой частоты 5 ГГц и плотности 295 млн транзисторов/мм², что сопоставимо с узлом TSMC класса 14A.

Одним из направлений (повышения эффективности) стала концепция под названием LogicFolding — трехмерное масштабирование логики. Вместо традиционного уменьшения размеров транзисторов Huawei предлагает разделять логические блоки на несколько слоев и соединять их вертикально с помощью сверхплотных соединений. Такой подход должен сократить длину передачи сигналов, снизить задержки и энергопотребление.