• Ученые из Института ядерной физики СО РАН в Новосибирске создали первое в России устройство для создания сильноточных ионных имплантеров.
• Имплантерные технологии используются в микроэлектронике для внедрения легирующих добавок в кремниевые пластины.
• Ионные имплантеры состоят из ионных источников, создающих легирующие потоки ионов.
• Разработанный касповый ионный источник имеет остроконечную структуру магнитного поля и позволяет работать с ленточными ионными пучками любой ширины.
• В 2024 году в ИЯФ СО РАН создана молодежная лаборатория имплантерных ионных источников для развития имплантерных технологий.
• ИЯФ СО РАН разрабатывает ионно-оптическую систему для формирования ленточного пучка ионов и планирует использовать ее для создания отечественных ионных имплантеров.

«Специалисты Института ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН (ИЯФ СО РАН) создали прототип каспового, то есть имеющего остроконечную структуру магнитного поля, ионного источника. Первые эксперименты показали, что устройство действительно позволяет работать с ленточными ионными пучками любой ширины, что обеспечивает качественное нанесение примесей, и подходит для создания сильноточных имплантеров необходимых в микроэлектронике», - сообщили в пресс-службе.