• Разработана технология создания фоточувствительных пленок для сенсоров и микросхем.
• Технология открывает возможности для производства высокоскоростных сенсоров и интеграции фоточувствительных элементов в кремниевые микросхемы.
• Ученые использовали вакуумные методы (магнетронное распыление и электронно-лучевое испарение) для формирования тонких фоторезистивных слоев.
• Пленки, полученные методом магнетронного распыления, показали высокую чувствительность к свету и быстрый отклик (25 микросекунд).
• Взаимодействие пленки с кремниевой подложкой формирует гетеропереход, усиливая фотоэлектрический эффект.
• Возможность регулировать состав материала позволяет настраивать чувствительность сенсоров под различные диапазоны спектра.
• Технология может стать основой для создания нового поколения фоточувствительных элементов, совместимых с микроэлектронными процессами.