• Исследователи из Фуданьского университета создали технологию PoX (Phase-change Oxide), которая может изменить представление о компьютерной памяти.
• PoX-память обладает беспрецедентной скоростью записи данных - 400 пикосекунд на бит, что превосходит флеш-память и оперативную память.
• Теоретически PoX-память способна записать 1 ГБ данных примерно за 3,3 секунды.
• Главное преимущество PoX - энергонезависимость, то есть способность хранить данные даже после отключения питания.
• Технология PoX может революционизировать системы искусственного интеллекта и машинного обучения, мобильные устройства и компьютерные системы.
• PoX-память может привести к созданию компьютеров с единым пулом универсальной памяти, что упростит, эффективнее и экономичнее существующие решения.
• На данный момент технология PoX существует в виде лабораторного прототипа, и путь от лабораторного образца до массового коммерческого продукта долог и сложен.