• Новый акустический чип может сделать смартфоны меньше и быстрее.
• Технология поверхностных акустических волн (ПАВ) может привести к новому поколению компактной и эффективной беспроводной техники.
• ПАВ уже используются в беспроводных устройствах, но имеют ограничения.
• Новое устройство размером около 0,5 мм создано из кремниевой подложки, ниобата лития и арсенида галлия-индия.
• Устройство генерирует устойчивую акустическую волну - фононный лазер.
• Частота генерации волн может быть масштабирована до десятков или сотен гигагерц, превышая пределы обычных фильтров ПАВ.
• Интеграция радиокомпонентов в единый микрочип может привести к революции в дизайне электроники и снижению толщины и энергопотребления смартфонов.

«Диодные лазеры — краеугольный камень большинства оптических технологий. Мы хотели создать аналог такого лазера, но для поверхностных акустических волн», — пояснил Мэтт Айкенфилд, старший автор исследования. В перспективе это позволит интегрировать все радиокомпоненты — приемники, фильтры и передатчики — в единый микрочип.