Новая сверхбыстрая память не потеряет данные при отключении питания телефонов и компьютеров

Ученые из Дальневосточного федерального университета и других научных центров предложили решение для создания энергонезависимой памяти нового поколения - SOT-MRAM (spin-orbit torque MRAM).
SOT-MRAM может решить проблему медленной работы процессора и памяти в современных устройствах.
Новый тип памяти позволяет записывать информацию в десятки раз быстрее и потреблять меньше энергии.
До сих пор для переключения ячеек SOT-MRAM требовалось внешнее магнитное поле, что усложняло конструкцию устройств.
Ученые нашли способ обойтись без внешнего магнитного поля, используя структуру из трех слоев: два магнитных слоя и сверхтонкую прослойку из вольфрама.
Даже сверхтонкий слой вольфрама эффективно генерирует спиновый ток, необходимый для переключения намагниченности.
Исследование показывает, что даже сверхтонкие слои тяжелых металлов могут быть эффективными источниками спинового тока.
Предложенная T-образная конфигурация создает внутреннее эффективное поле, заменяющее внешний магнит, делая устройство проще, дешевле и надежнее.