- Ученые из Дальневосточного федерального университета и других научных центров предложили решение для создания энергонезависимой памяти нового поколения - SOT-MRAM (spin-orbit torque MRAM).
- SOT-MRAM может решить проблему медленной работы процессора и памяти в современных устройствах.
- Новый тип памяти позволяет записывать информацию в десятки раз быстрее и потреблять меньше энергии.
- До сих пор для переключения ячеек SOT-MRAM требовалось внешнее магнитное поле, что усложняло конструкцию устройств.
- Ученые нашли способ обойтись без внешнего магнитного поля, используя структуру из трех слоев: два магнитных слоя и сверхтонкую прослойку из вольфрама.
- Даже сверхтонкий слой вольфрама эффективно генерирует спиновый ток, необходимый для переключения намагниченности.
- Исследование показывает, что даже сверхтонкие слои тяжелых металлов могут быть эффективными источниками спинового тока.
- Предложенная T-образная конфигурация создает внутреннее эффективное поле, заменяющее внешний магнит, делая устройство проще, дешевле и надежнее.
Новая сверхбыстрая память не потеряет данные при отключении питания телефонов и компьютеров
29 июн 2026
Краткий пересказ
от нейросети YandexGPT
Обложка: Изображение с сайта magnific.com