- Тайваньские исследователи создали прототип эффективного двумерного транзистора без кремния.
- Двумерные полупроводники обещают сделать транзисторы меньше, быстрее и эффективнее кремниевых.
- Для управления током в сверхтонком канале нужен изолирующий слой диэлектрика, который повреждает полупроводник.
- Исследователи создали сверхтонкий буферный слой, совместив диэлектрик с высокими показателями подвижности.
- Новый транзистор имеет эквивалентную толщину оксида около 1 нм, низкие токи утечки и максимальную крутизну передачи 0,45 мкСм/мкм.
- Главное достижение - сочетание тонкого диэлектрика, сильного электростатического управления и высокой подвижности носителей.
- Метод инженерной модификации границ раздела важен для реальной двумерной электроники.
- Шанхайский стартап «Юаньцзивэй» представил первую в мире пилотную линию для производства двумерных полупроводников.
