• Ученые МФТИ продлили память на основе сегнетоэлектриков до рекордных 100 миллионов циклов перезаписи.
• Это в тысячи раз превышает ресурс современной флеш-памяти.
• Открытие позволяет создавать устройства памяти нового поколения для кардиостимуляторов, нейроинтерфейсов и энергоэффективных ИИ дата-центров.
• Сегнетоэлектрики поддерживают поляризацию после снятия внешнего электрического поля, что позволяет сохранять информацию даже без доступа к сети питания.
• Сегнетоэлектрики могут работать в плёнках толщиной всего в несколько нанометров, что удобно для миниатюрных чипов.
• На основе сегнетоэлектриков можно создавать транзисторы, имитирующие работу синапсов в человеческом мозге.
• Учёные МФТИ научились прогнозировать поведение памяти на основе перспективного сегнетоэлектрика - оксида гафния-циркония.
• Главное ограничение, с которым сталкиваются инженеры при создании сверхтонких плёнок памяти, - токи утечки.

«Мы выявили четкое правило: чем «лучше» сегнетоэлектрик, тем быстрее он «стареет» под действием собственного поля. Пользуясь этим правилом, память на основе сегнетоэлектриков можно адаптировать под свои задачи. Например, для кардиостимуляторов важно надёжное хранение данных долгое время, нужно выбрать плёнки большей толщины. А вот для ускорителей ИИ и систем обработки видеопотоков, где память используется как рабочая, необходимы миллиарды циклов быстрой перезаписи. Здесь выигрывает ультратонкий слой», – пояснила Анастасия Чуприк, старший научный сотрудник, заведующий лабораторией перспективных концепций хранения данных МФТИ.