Фотоны «задерживают» вблизи кремния, чтобы улучшить солнечные панели

Исследователи из Калифорнийского университета, Казанского федерального университета и Тель-Авивского университета улучшили взаимодействие света с кремниевыми полупроводниками.
Метод позволяет производить сверхтонкие кремниевые солнечные элементы.
Ученые обнаружили способ превращения кремния из непрямозонного в прямозонный полупроводник без изменения химической структуры.
Ключевой особенностью метода является ограничение фотонов на крошечных выступах размером менее 3 нм у поверхности кремния.
Это позволяет увеличить поглощение света и открывает перспективы для создания сверхтонких солнечных панелей.
Традиционные кремниевые солнечные элементы требуют толстых слоев для эффективного улавливания света, что удорожает производство.
Новая технология позволит создавать тонкопленочные солнечные панели, которые могут быть дешевле, легче и универсальнее в применении.