Физики превратили алмазы в источники света

Ученые из ТИСНУМ и МФТИ исследовали спектры электролюминесценции алмазного p-i-n-диода.
Результаты работы могут быть использованы в высокотемпературной оптоэлектронике.
Полупроводники занимают промежуточное положение между проводниками и диэлектриками.
Полупроводниковые сенсоры работают на принципе проводимости электрического тока.
p-i-n-диоды являются особым видом полупроводниковых компонентов.
Ученые изготовили экспериментальный образец алмазного p-i-n-диода и исследовали его при высоких температурах.
Процесс включал в себя синтез алмаза, выращивание i- и p-слоев и отжиг.
Диод был облучен потоком электронов и отжат в вакууме для изменения концентрации азото-замещенных вакансий.
Прямое включение и нагрев диода выше 400°C сопровождались электролюминесценцией.
Спектры электролюминесценции показали, что полоса становится шире и смещается в область более длинных волн с ростом температуры и напряжения.
Основным источником электролюминесценции являются азот-вакансионные центры окраски.