• Ученые из Института физики полупроводников СО РАН научились управлять свойствами поверхности кремния.
• Созданы двумерные металлические и полупроводниковые зоны на кремнии с помощью контролируемого осаждения атомов олова.
• Результаты исследования перспективны для создания новых материалов для электроники.
• Современная электроника работает быстрее и компактнее благодаря уменьшению размеров ключевых элементов.
• Контроль поведения поверхности материалов на атомарном уровне определяет свойства гаджетов будущего.
• Метод, используемый в исследовании, позволяет точно контролировать концентрацию атомов, скорость их осаждения и другие параметры.
• Структуры на основе кремния, германия и олова совместимы с кремниевой технологией производства электроники.
• Результаты исследования открывают возможности более точного контроля полупроводниковых слоев и формирования новых гибридных структур на основе кремния, олова и германия.

«В исследовании мы впервые показали, как может перераспределяться олово по поверхности в процессе осаждения, как оно может перемешиваться с атомами кремния, всегда присутствующими на поверхности», - цитирует пресс-служба одного из авторов исследования Алексея Петрова.